产品特点
以 Sub-100 nm 对准能力和洁净工艺环境，支撑先进 3D 集成。
Sub-100 nm 对准与芯片到晶圆混合键合
LITHOBOLT G2 支持芯片到晶圆混合键合（die-to-wafer hybrid bonding）和熔融键合（fusion bonding）工艺，具备 sub-100 nm 对准能力。该平台用于形成高密度、高质量互连，适合人工智能/高性能计算、高带宽存储器相关架构和先进存储系统。
洁净环境与键合力控制
设备提供 ISO 1 级洁净环境，并支持最高 30N 键合力控制。洁净度、键合力和对准能力共同影响混合键合界面的稳定性，适用于对缺陷控制和界面质量要求较高的 3D 集成制造流程。
300 mm 晶圆兼容与量产配置
平台兼容 300 mm 晶圆，吞吐量最高可达 2,000 UPH，并支持薄芯片处理、自动换刀以及与前后道工具的集群化集成。
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