产品特点
低热影响激光分割,适配薄晶圆与先进材料加工
低热影响加工与薄晶圆适配
LASER1205 面向热影响区、边缘崩裂和材料应力敏感的晶圆分割场景。设备可将热影响区(HAZ)控制在 <2 μm,并覆盖 10 至 250 μm 的晶圆厚度范围,适用于薄晶圆和先进材料加工。
多工艺与多材料晶圆分割
平台支持晶圆切割(dicing)、沟槽加工(trenching)和开槽(grooving)等工艺,可适配碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、低介电常数材料(low-k dielectric)以及功率、光电、人工智能、存储和汽车相关晶圆加工需求。