多芯堆叠与高密度集成
终端存储走向更薄、更高密度封装
SSD、移动存储、存储卡和消费电子设备对容量、厚度和成本的要求持续提升，推动 NAND Flash、DRAM 及相关控制芯片在更小封装空间内实现多芯堆叠和高密度互连。与晶圆内部的 3D NAND 层数不同，封装端更关注薄芯片搬运、多层 die attach、堆叠偏移控制、长线/细线键合、模塑保护和封装翘曲。随着堆叠层数增加，薄芯片更容易受到吸附、搬运和贴装应力影响，线键合也面临线弧控制、过跨键合、线扫和短路风险；模塑过程还需避免芯片移位、空洞、开裂和应力集中。对于更高密度的扇出型或重构载板集成，设备还需要兼顾大面积基板上的贴装精度、位置漂移和过程一致性。
存储封装的难点在薄芯片、多层堆叠与细线互连
核心工艺设备
先进封装与互联
引线键合
